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鍵合絲未來(lái)探究及與物聯(lián)網(wǎng)關(guān)系

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• 日期: 2017-05-01
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　前言

　　連接芯片和基板（Substrate）的一級(jí)封裝有鍵合絲（Wire bonding）和倒裝芯片（Flip Chip）兩種方法。后者憑借其出色的信號(hào)傳遞性能、大I/O數(shù)處理能力以及易于封裝微型化的實(shí)現(xiàn)，在各種高級(jí)封裝形式中得到廣泛應(yīng)用，然而預(yù)計(jì)到2020年，鍵合絲技術(shù)仍然是占主流的連接方式（大于80%的市場(chǎng)占有率）。其中的原因包括鍵合絲技術(shù)的成熟度及性價(jià)比高、該技術(shù)本身內(nèi)源性的進(jìn)步、對(duì)各種應(yīng)用場(chǎng)合的普適性、最后尤其是物聯(lián)網(wǎng)的興起極大地促進(jìn)了鍵合絲的應(yīng)用和發(fā)展。

　　物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)容量大、應(yīng)用場(chǎng)景廣、低成本、節(jié)能要求高、極度依賴無(wú)線通訊技術(shù)的特點(diǎn)與鍵合絲技術(shù)吻合度高。本文試圖闡明從物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用特點(diǎn)來(lái)闡述鍵合絲技術(shù)與它的內(nèi)在關(guān)聯(lián)。本文還簡(jiǎn)要述及了鍵合絲技術(shù)在高速信號(hào)傳輸體系中的一些新的用途、新問題和趨勢(shì)。

　　一、物聯(lián)網(wǎng)的形成邏輯和市場(chǎng)（Building Block）

　　人類在不斷開拓的新領(lǐng)域中周而復(fù)始地模擬著自然。如果將internet網(wǎng)絡(luò)比做人體的主動(dòng)靜脈系統(tǒng)，移動(dòng)蜂窩通訊網(wǎng)絡(luò)（Cellular Network）則可比做人體的支路血管系統(tǒng)，物聯(lián)網(wǎng)(IoT)則可以比做遍布全身的毛細(xì)血管系統(tǒng)。有趣的是在Internet Network、Cellular Network以及IoT網(wǎng)絡(luò)內(nèi)部，我們?nèi)匀贿€可以對(duì)其做類似的層級(jí)分類：例如Cellular Network[1]中就存在 Macro, Micro,Pico 和Femto多級(jí)別的機(jī)站來(lái)涵蓋不同的區(qū)域，如圖1所示。不同的機(jī)站的能耗結(jié)構(gòu)也不同，如圖2所示。

　　

　　圖1.移動(dòng)蜂窩通訊網(wǎng)絡(luò)的各級(jí)別基站

　　

　　圖2. 各基站的能量分布

　　在經(jīng)歷了個(gè)人計(jì)算機(jī)（PC）和智能手機(jī)（Smart Phone）兩次電子技術(shù)浪潮后，我們正處于第三次電子技術(shù)革命的初期：萬(wàn)物互聯(lián)的物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代（Internet of Thing）。PC的普及為internet網(wǎng)絡(luò)大規(guī)模應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)，智能手機(jī)的應(yīng)用將移動(dòng)蜂窩通訊網(wǎng)絡(luò)（Cellular Network）與internet網(wǎng)絡(luò)緊密相連，PC則通過WiFi無(wú)線連接技術(shù)連入internet, 將固定的網(wǎng)絡(luò)拓展到更曠闊的移動(dòng)空間。預(yù)計(jì)到2020年，物聯(lián)網(wǎng)中互連的電子智能終端（IoT edge node）為500億個(gè),這些終端將連接2000億個(gè)sensor[2], 連入到了這個(gè)由internet網(wǎng)絡(luò)為主干、無(wú)線網(wǎng)絡(luò)為擴(kuò)展的網(wǎng)絡(luò)體系中, 它們不斷產(chǎn)生大量的數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)分析的需要。

　　物聯(lián)網(wǎng)中的internet固定網(wǎng)絡(luò)的主要發(fā)展方向?yàn)椋焊焯幚硭俣鹊倪壿嬓酒↙ogic）、更高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度的存儲(chǔ)芯片(DRAM, 3D NAND)、以及處理芯片和存儲(chǔ)芯片之間高速的信號(hào)傳輸速率。這方面的需求在過去、現(xiàn)在以及預(yù)計(jì)到2021年都主要由Moore定律所描述的、依靠芯片中晶體管尺寸的不斷縮小、功能不斷提升的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)(transistor scaling)；另一方面則依賴高級(jí)封裝技術(shù)（advanced packaging）的提升來(lái)進(jìn)一步將系統(tǒng)小型化(SiP, system scaling)以及通訊技術(shù)的進(jìn)步（例如高頻Serdes以及5G通訊技術(shù)）。高級(jí)封裝技術(shù)包括基于硅基板（Si Substrate）的2.5D、基于硅通孔技術(shù)TSV（Trough Silicon Vial）的3D 芯片堆疊技術(shù)（Stacked Dies）以及倒裝芯片技術(shù)（Flip Chip）?？梢灶A(yù)見系統(tǒng)的計(jì)算速率會(huì)進(jìn)一步提升，但相應(yīng)核心設(shè)備的功耗也會(huì)隨之增加，雖然這些設(shè)備（例如網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器）都是插電的，不存在能源問題，然而像Google、 Amazon、 Facebook、阿里巴巴、騰訊等網(wǎng)絡(luò)服務(wù)提供商的運(yùn)營(yíng)成本中最大的項(xiàng)目就是其數(shù)目眾多的網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器的電費(fèi)，降低能耗是他們降低成本的主要手段。

　　

　　圖3. 基于手機(jī)蜂窩網(wǎng)絡(luò)的物聯(lián)網(wǎng)場(chǎng)景

　　如圖3所示，物聯(lián)網(wǎng)末梢網(wǎng)絡(luò)（Edge node）的每一個(gè)智能終端（smart object）都可以看做為一個(gè)小數(shù)據(jù)（Little Data）的發(fā)生器，通過網(wǎng)絡(luò)匯聚成大數(shù)據(jù)(Big Data)[3]。隨著集成電路技術(shù)的進(jìn)步，功能提升、能耗下降、尺寸降低的控制芯片（Logic）很容易和各種感應(yīng)器（Sensor）、作動(dòng)器（Actuator）形成的功能強(qiáng)大的嵌入式系統(tǒng)（embedded system），這些嵌入式系統(tǒng)或者這些分散的單個(gè)的Sensor 和 Actuator可以通過內(nèi)置的RFID tags (無(wú)線射頻識(shí)別標(biāo)簽)、NFC tags（近場(chǎng)通信標(biāo)簽），通過無(wú)線連接技術(shù)接入到Internet中，形成物聯(lián)網(wǎng)的主體部分。

　　當(dāng)然圖3只是對(duì)物聯(lián)網(wǎng)現(xiàn)狀的一種簡(jiǎn)單描述。連入互聯(lián)網(wǎng)的電子設(shè)備不一定只是通過移動(dòng)蜂窩通訊網(wǎng)絡(luò)（圖中的mobile network在此特指Cellular network）, 而是可以通過其它無(wú)線技術(shù)連入到internet。通過移動(dòng)蜂窩通訊網(wǎng)絡(luò)是目前物聯(lián)網(wǎng)無(wú)線通信技術(shù)中的最重要的技術(shù)之一，而且通過借由third generation partnership project (3GPP)的LTE(Long Term Evaluation)和LTE-A(Long Term Evaluation-Advanced)協(xié)議的智能手機(jī)做為控制中心，確實(shí)是目前物聯(lián)網(wǎng)中無(wú)線技術(shù)在智能家居、智能保健醫(yī)療中的一些重要應(yīng)用場(chǎng)景，卻不一定是唯一的主要演進(jìn)方向，目前移動(dòng)蜂窩通訊網(wǎng)絡(luò)的物與物聯(lián)接只占到聯(lián)接總數(shù)的10%，大部分的物與物聯(lián)接通過藍(lán)牙、WiFi等技術(shù)來(lái)承載。不過由中國(guó)華為牽頭的NB-IoT可能很快會(huì)徹底顛覆這種局面。

　　

　　圖4. 基于無(wú)線Zigbee的智能家居網(wǎng)絡(luò)

　　一個(gè)更具體的智能家居應(yīng)用場(chǎng)景的描述如圖4所示，在此網(wǎng)絡(luò)的末梢(Edge node)采用通過運(yùn)行Zigbee無(wú)線通訊協(xié)議的網(wǎng)關(guān)（Gateway）來(lái)接入internet。圖5是IoT無(wú)線網(wǎng)絡(luò)的需求特點(diǎn)以及三個(gè)現(xiàn)有無(wú)線網(wǎng)絡(luò)的特點(diǎn)，如何利用現(xiàn)有網(wǎng)絡(luò)來(lái)滿足IoT網(wǎng)絡(luò)的多樣化需要也是挑戰(zhàn)（在此要區(qū)分無(wú)線網(wǎng)絡(luò)和無(wú)線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議的區(qū)別）。圖6是ASE所描述的物聯(lián)網(wǎng)主要應(yīng)用領(lǐng)域和相關(guān)市場(chǎng)容量。值得注意的是IDC預(yù)測(cè)物聯(lián)網(wǎng)的年復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)31.72%（2015-2019），遠(yuǎn)高于半導(dǎo)體5.5%的增長(zhǎng)率[4]。對(duì)于物聯(lián)網(wǎng)2020年的市場(chǎng)容量，IDC的預(yù)測(cè)將是驚人的71萬(wàn)億美元，遠(yuǎn)高于2015年整個(gè)電子行業(yè)的17萬(wàn)億美元。

　　

　　圖5. 現(xiàn)有無(wú)線網(wǎng)絡(luò)與IoT網(wǎng)絡(luò)的特性比較

　　

　　圖6. ASE的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)場(chǎng)景分類和容量

　　

　　圖7. 物聯(lián)網(wǎng)的通用架構(gòu)

　　二、物聯(lián)網(wǎng)的特點(diǎn)與鍵合絲技術(shù)的內(nèi)在吻合度

　　從以上的描述可知，廣義上講物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)該包含internet網(wǎng)絡(luò)在內(nèi)的所有固定網(wǎng)絡(luò)和移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)形成的總體，狹義上講物聯(lián)網(wǎng)更強(qiáng)調(diào)的是分散的、通過各種無(wú)線通訊技術(shù)連入到互聯(lián)網(wǎng)（internet）主體的各個(gè)分網(wǎng)絡(luò)，尤其強(qiáng)調(diào)物（small object）與物之間的主要借助無(wú)線技術(shù)的直接溝通而無(wú)需人類的介入(Machine to Machine)。本文的物聯(lián)網(wǎng)主要取狹義的概念，尤其針對(duì)其物聯(lián)網(wǎng)末梢網(wǎng)絡(luò)和其中的智能終端(smart object)。

它們突出了網(wǎng)聯(lián)網(wǎng)的基本特征：

1.Heterogeneous(異質(zhì)化,各種不同特質(zhì)的信號(hào)感應(yīng)器、作動(dòng)器)

　　2. Small object mobility(IoT智能終端的可移動(dòng))

　　3. Duty-Cycling(間歇性工作特性)從應(yīng)用的角度看它們體現(xiàn)出了低成本、低功耗、連接多樣性（廠家, 技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)）的特點(diǎn)。

　　本文在此主要討論這些特征與采用鍵合絲互聯(lián)技術(shù)的必然性。在低成本方面主要體現(xiàn)為物聯(lián)網(wǎng)芯片絕大多收采用傳統(tǒng)成熟的技術(shù)節(jié)點(diǎn)。圖7是IoT系統(tǒng)的通用架構(gòu)。在最低層的物理感知層（Perception Layer）, 處于物聯(lián)網(wǎng)末梢的嵌入式系統(tǒng)或傳感器及其它智能終端（smart object）需要將自身所帶的RFID（無(wú)線射頻識(shí)別標(biāo)簽）和/或收集到有用信息，例如主體的位置、速度、環(huán)境中的壓強(qiáng)、溫度、粉塵濃度等信息通過網(wǎng)絡(luò)層（Network Layer）發(fā)送出去。完成這些動(dòng)作所需要的硬件包括：各種MEMS Senor 及其控制芯片、無(wú)線訊號(hào)傳輸芯片（RF-IC）。一個(gè)典型的IoT器件的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖8如下：

　　

　　圖8. 一個(gè)典型IoT 器件的結(jié)構(gòu)

　　

　　圖9. 一個(gè)基于Zigbee的網(wǎng)關(guān)結(jié)構(gòu)

　　圖8中的Sensing部分，是各種MEMS Sensor，這方面一致以來(lái)都是由bonding wire來(lái)連接，目前主要是用金線和少量的銀合金線。如圖10所示的一個(gè)典型的MEMS Sensor封裝形式。

　　

　　圖10. MEMS Sensor 封裝

　　圖8中的DSP和圖9中的Microcontroller是物聯(lián)網(wǎng)器件中常用的控制芯片。實(shí)際上絕大多數(shù)物聯(lián)網(wǎng)上的的智能終端（small object）都采用單片機(jī)(Microcontroller)做為控制中心，其芯片的制程也通常采用成熟的節(jié)點(diǎn)技術(shù)（Process node）,例如180nm, 近期為65 nm、55nm。圖11是用于物聯(lián)網(wǎng)的芯片分類。而這類芯片都會(huì)采用傳統(tǒng)的低成本bonding wire鍵合方式。一般采用Flip Chip的芯片大多是28nm制程以下的。

　　在低能耗方面，由于物聯(lián)網(wǎng)物末梢的智能終端絕大多數(shù)依靠電池來(lái)供電，需要從幾個(gè)方面來(lái)保證它們10-15年之間的使用壽命（不換電池）：

　　1.IoT芯片采用基于RISC(Reduced Instruction Set Computing)指令集的ARM（AdvancedRISC Machine）, ARM（這里的ARM實(shí)際上還指一種芯片微結(jié)構(gòu)，Micro-architecture）是RISC微處理器的代表作之一，廣泛用于嵌入式系統(tǒng)（Embedded System）設(shè)計(jì)中, ARM處理器的最大特點(diǎn)就是節(jié)能。目前32位ARM處理器是IoT芯片的主流；

　　2. IoT芯片主要采用間歇性工作方式（Duty-Cycling），它大部分時(shí)間是處于休眠狀態(tài)，只是在某些時(shí)段被喚醒而工作一段時(shí)間，隨即回復(fù)到休眠態(tài)。一個(gè)典型的例子是在安防：只有當(dāng)攝像頭的sensor感覺到了視野中有物體的移動(dòng)時(shí)，系統(tǒng)被喚醒開始攝像存儲(chǔ)功能，視野中無(wú)物體移動(dòng)一段時(shí)間后，系統(tǒng)又進(jìn)入到休眠狀態(tài)；

　　3. 采用低速、低功耗的無(wú)線傳輸協(xié)議。在無(wú)線傳輸技術(shù)上載波的頻率越高則相應(yīng)的功耗越大、覆蓋的有效范圍越小。所以在物聯(lián)網(wǎng)末梢大多采用Blue Tooth 或者 Zigbee這種網(wǎng)絡(luò)協(xié)議來(lái)實(shí)現(xiàn)低功耗，低速的無(wú)線通訊。物聯(lián)網(wǎng)末梢的網(wǎng)關(guān)，如果也采用無(wú)線通訊的技術(shù)，也許由于由眾多SO傳到網(wǎng)關(guān)的數(shù)據(jù)量較大且需要實(shí)時(shí)處理的緣故，可能會(huì)采用相對(duì)高頻的載波和無(wú)線通訊協(xié)議，例如Wi-Fi, LTE和LTE-A，而這些網(wǎng)關(guān)也大多是插電而不是依靠電池來(lái)工作。不過筆者研究發(fā)現(xiàn)目前即使針對(duì)這些物聯(lián)網(wǎng)的相對(duì)高頻的無(wú)線通訊應(yīng)用，鍵合絲也同樣勝任。后續(xù)有進(jìn)一步說明。

　　

　　圖11. IoT 芯片的processnode分布

　　在連接多樣性上。除了少量的有線連接，例如Ethernet和USB。物聯(lián)網(wǎng)大多采用無(wú)線通訊技術(shù)，相應(yīng)的無(wú)線通訊協(xié)議有很多，包括Wi-Fi、LTE/LET-A、Blue Tooth、Zigbee。其中Wi-Fi是目前應(yīng)用最廣的通訊協(xié)議，現(xiàn)在通過Wi-Fi網(wǎng)絡(luò)的通訊流量要高于通過Ethernet(以太，有線連接)和移動(dòng)蜂窩通訊網(wǎng)絡(luò)（Cellular）的總和?，F(xiàn)階段Wi-Fi的載波頻率最高為5.15-5.825GHz, 信道帶寬(Bandwidth)為675MHz，最高信號(hào)傳播速率達(dá)到了6.76Gbps。

　　圖12是Wi-Fi的技術(shù)演進(jìn)路線圖，圖13是Wi-Fi技術(shù)的功耗效率隨信號(hào)傳輸速率（Data Rate, Gb/s）增加而變化的關(guān)系圖。顯然Data Rate增加時(shí)，現(xiàn)有Wi-Fi技術(shù)的功耗效率也增加，但無(wú)法保證同比例增加，說明隨著Data Rate的增加，功耗比會(huì)增加得更快。對(duì)于IoT系統(tǒng)末梢節(jié)點(diǎn)終端來(lái)說（Edge node），這樣高的功耗和無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸速率是不合適的?；谝苿?dòng)蜂窩通訊網(wǎng)絡(luò)的LTE目前的載波頻率700 MHz to 3.5 GHz。相應(yīng)的下載速率為150Mbps and 300Mbps。值得說明的是中國(guó)華為公司所主導(dǎo)的NB-IoT是基于移動(dòng)蜂窩通訊網(wǎng)絡(luò)，其載波頻率在800-900MHz之間，年內(nèi)會(huì)進(jìn)入商業(yè)運(yùn)作，這會(huì)對(duì)整個(gè)局勢(shì)有很大影響。Zigbee的載波頻率為868MHz-2.4GHz，傳輸速率在20-250kbps， Bluetooth的載波頻率為2.4—2.485GHz，傳輸速率在721kbps-50Mbps。相對(duì)于Zigbee, Bluetooth的能耗更高。通常這些無(wú)線通訊模塊是集成到上述的單片機(jī)器中的，很少單獨(dú)成片，而采用多芯片封裝的形式。集成的芯片也采用鍵合絲的連接方式。說明鍵合絲在能夠處理這些高頻的載波的傳輸。

　　三、鍵合絲技術(shù)的普適性

　　在封裝領(lǐng)域，對(duì)于大I/O數(shù)、能量以及高速率信號(hào)傳輸?shù)捏w系，F(xiàn)lip Chip通常比鍵合絲技術(shù)能提供更大的設(shè)計(jì)自由度。這是因?yàn)閎onding wire 和 Flip Chip中的bump在整個(gè)信號(hào)傳遞通道中都屬于阻抗不連續(xù)區(qū)（impedance mismatch）,當(dāng)高頻信號(hào)在傳輸線（transmission Line）的傳遞過程中，遇到阻抗不連續(xù)區(qū)時(shí)，會(huì)發(fā)生信號(hào)的發(fā)射而阻礙信號(hào)的有效傳遞。flip chip的bump通常為60-100微米高，80-125微米直徑的近似圓柱體，相比常見長(zhǎng)度范圍1 - 5mm，線材直徑在15-35微米的鍵合絲來(lái)講，前者對(duì)整個(gè)信道的傳輸性能影響要小很多。如果能消除阻抗不連續(xù)區(qū)的影響，鍵合絲的確是可以用于高速信號(hào)傳輸體系的。

　　

　　圖12. Wi-Fi的技術(shù)演進(jìn)圖

　　

　　圖13. Wi-Fi的功耗效率隨DataRate變化圖

　　

　　圖14是電子系統(tǒng)中傳輸線的示意圖。

　　其中a分圖中的Zo是正常阻抗的傳輸線（transmission line）,最通用的規(guī)范是50Ω,Z1的阻抗不同于Zo，為阻抗不連續(xù)區(qū)，b分圖中詳細(xì)列出了信號(hào)傳輸線的各組成部分。

傳輸線每段的阻抗的數(shù)學(xué)表達(dá)式為：

因此要獲得純R的阻抗，需要

　　

而

　　

　　顯然對(duì)于特定的工作頻率區(qū)間，可以通過調(diào)整阻抗不連續(xù)區(qū)附近的電感L和電容C，來(lái)獲得改善的整合后區(qū)域（包括原阻抗不連續(xù)區(qū)和及其修改后的那些附件區(qū)域,當(dāng)然更直接的方法是針對(duì)阻抗不連續(xù)區(qū)進(jìn)行重新設(shè)計(jì)。

　　使其近阻抗與純電阻抗為50Ω的傳輸線。在傳輸線的不同部分所體現(xiàn)出的阻抗特性是不同的，鍵合絲通常表現(xiàn)為感抗L，而Chip Pad, Bond Pad通常表現(xiàn)為容性阻抗C。

　　基于各種局部[5]，區(qū)域[6]的調(diào)整，鍵合絲部分的阻抗可以得到改善可以用于各種不同傳輸速率在1Gbps-28Gbps和更高的情形。其中最有效的方法是降低鍵合絲的長(zhǎng)度并且采用低弧高的線弧來(lái)增加鍵合絲與底部Cu ground回路之間的電容。從而將整個(gè)bonding wire的阻抗向50Ω純電阻抗靠近，降低信號(hào)反射的強(qiáng)度，提升整體信道的帶寬。

　　四、鍵合絲技術(shù)在高頻信號(hào)體系和5G中的應(yīng)用

　　上述這些阻抗修正法的一個(gè)缺陷是會(huì)影響整體線路的帶寬（雖然比不修正時(shí)要好很多），所以有研究者提出了一種微同軸電纜的方法(micro-coax)[7]，其本質(zhì)是將bonding wire變成了同軸線。該方法是在常規(guī)鍵合絲打線后，在線的表面涂覆一層厚度固定的介電質(zhì)并在其表面再鍍一層金屬，最后在導(dǎo)地（Ground）的IC Pad位置，于介電質(zhì)的外層金屬上通過打通孔，將底層外層金屬層與導(dǎo)地的IC Pad相連，詳見圖15。

　　在此,介電層的厚度要嚴(yán)格控制，因?yàn)樗P(guān)系到最終的微同軸電纜的阻抗。

　　由

　　

　　決定：其中εr是介電質(zhì)的介電常數(shù)，a是鍵合絲的直徑，b是鍵合絲涂覆上介電質(zhì)層的厚度。一個(gè)具體的實(shí)例如表1：

　　

圖15. 微同軸電纜的制造過程

　　

　　表1. 微同軸電纜的參數(shù)

　　由于完全消除了阻抗不連續(xù)的因素，微同軸電纜能夠支撐100+GHz的信號(hào)傳輸。

　　其它能夠增加鍵合絲高頻傳輸性能的因素還有

　　1.鍵合絲外層的介電質(zhì)的介電常數(shù)；

　　2.表面電阻（由趨膚效應(yīng)SkinEffect引起）；

　　3.表面粗糙度。

　　在整個(gè)鍵合絲技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)中，金線的取代是最顯著的趨勢(shì)，其中今后應(yīng)用最廣的線材是鍍Pd銅線，目前表面的Pd的厚度在40-100nm之間，如何有效降低Pd層厚度，在高頻應(yīng)用中有重要的意義，由于趨膚效應(yīng)的存在，低Pd厚度在高頻傳輸上有優(yōu)勢(shì)

　　

　　表2. Bonding wire 天線與常規(guī)天線技術(shù)的比較

　　在高頻領(lǐng)域，鍵合絲在5G方面也顯現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢(shì)，由于5G通訊的一個(gè)重要應(yīng)用是毫米波技術(shù)（30-300GHz之間的電磁波），它將解決在都市某個(gè)局部區(qū)域（例如國(guó)際會(huì)議中心）（因?yàn)楹撩撞ǖ目梢曋本€覆蓋范圍只有200-300米）在召開一些重大事件時(shí)的無(wú)線通訊帶寬的問題（可以支持10+Gbps的無(wú)線通訊速率）。其中bonding wire在天線方面表現(xiàn)做比常規(guī)天線更優(yōu)越的性能。尤其在效率（Efficiency）和增益上（Gain）這兩個(gè)最重要的特征參數(shù)上[10]。而這種優(yōu)勢(shì)部分來(lái)源于鍵合絲技術(shù)的成熟度，它在平面上(xy面)的打線誤差在微米級(jí)以下，而在高度（z軸）的誤差范圍內(nèi)對(duì)天線的應(yīng)用不敏感。

　　

　　圖16. Bonding wire 天線

　　總結(jié)

　　目前鍵合絲的研究主要還是在通過doping、 alloying，表面和內(nèi)核結(jié)構(gòu)調(diào)整、表面有機(jī)涂層和金屬電鍍等方面來(lái)提高打線的順暢度bondability和鍵合焊點(diǎn)的可靠性上reliability。在低頻的應(yīng)用領(lǐng)域，這些都應(yīng)該是繼續(xù)努力的方向。在高端通訊領(lǐng)域，應(yīng)該把線材的弧線控制、表面阻抗、表面粗糙度，低介電質(zhì)材料方面進(jìn)一步密切和封裝設(shè)計(jì)公司的合作，提供更具有價(jià)格優(yōu)勢(shì)和高性能的產(chǎn)品。